本發明屬于納米材料技術領域,公開一種N?GQDs修飾的3DOM In2O3復合材料及其制備方法和應用。所述復合材料由3DOM In2O3及其均勻地負載在其表面和孔道內部的N?GQDs組成。將N?GQDs分散在水中,加入3DOM In2O3,N2鼓泡1~3 h,然后將混合物控溫在150~180℃水熱反應4~8 h,自然冷卻至室溫,最后真空干燥,即得N?GQDs修飾的3DOM In2O3復合材料。所述復合材料在NO2氣體傳感器中作為氣敏材料的應用。本發明通過使用N?GQDs修飾的3DOM In2O3,有效地克服了二維石墨烯無法進入3DOM In2O3孔道內部,從而無法構成有效異質結的問題,具有好的重復性、選擇性、長期穩定性以及短的響應恢復時間,能夠實現100 ppb的實際檢測濃度,可用于超低濃度下的NO2含量檢測。
聲明:
“N-GQDs修飾的3DOM In2O3復合材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)