本發明實施公開了一種微納網狀結構In2O3/SnO2復合材料及其生長方法,以氧化銦或者氧化錫微顆粒為基體,并利用利用熱蒸鍍的方式在上述微顆粒上原位生長包含另一種材料(氧化錫或者氧化銦)的納米晶,同時,通過控制生長環境和生長時間使上述納米晶形成一維或準一維的結構并且相互連通,進而構成氧化銦/氧化錫網狀結構復合材料。本發明實施例提供的復合材料由兩種材料復合而成,具有比單一金屬氧化物更多表面活性位點和結構,因此可敏感探測氣體種類和靈敏度更高;另外,該材料還具有高比表面積、網狀相連結構不團聚、材料有序活性位點多且氣敏性能優異,具有很好的工業化前景。
聲明:
“微納網狀結構In2O3/SnO2復合材料及其生長方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)