本發明將公開一種新型低燒玻璃陶瓷復合材料及其制備方法,該復合材料的成份包括氮化鋁和堇青石基玻璃,兩者的重量比例為35~57∶65~43;所述堇青石基玻璃包括下述以重量百分比計的成份:SiO2 50~53%,Al2O3 20~26%,MgO 15~23%,B2O3 1.5~5%,P2O5 0~2.5%,1~6.5%RxOy;其中所述RxOy中的R為Bi、Ce和Zn中的之一;x=1~2;y=1~3。本發明用于先進電子封裝的氮化鋁/堇青石基玻璃陶瓷復合材料的相對密度達97.2%以上,熱導率最高可達7.5W/m.K,熱膨脹系數為3.2~3.8×10-6K-1,抗折強度不低于168MPa,斷裂韌性不低于2.38MPa.m1/2,介電常數比現有報道的材料低,有利于提高信號的傳輸速度,且其還具有較高的室溫熱導率,熱膨脹系數與硅匹配,力學性能也大大提高。
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