本發明涉及一種制備(SiCNW)/(ZrC基體?涂層一體化)改性C/C復合材料的方法,通過預先制備SiC納米線骨架,使得通過PIP法制備ZrC陶瓷摻雜基體的同時可以在基體表面形成ZrC(SiC)陶瓷涂層。該方法能夠使ZrC(SiC)陶瓷涂層與摻雜基體一體化成型,既能有效阻隔氧氣氣氛和高速粒子對基體的侵蝕,又能降低基體的氧化活性,同時緩解基體與涂層之間的熱膨脹系數不匹配問題,從內至外整體上提升C/C復合材料長時間的抗燒蝕能力。本發明操作簡單、制備溫度較低、對基體損傷小、成本低廉,可為C/C復合材料在高溫燒蝕環境中的應用提供一定的理論與實驗助力,具有良好的經濟及社會效益。
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