本發明專利公開了一種基于壓印光刻的復合材料真三維MEMS器件的制造方法。該方法采用快速成型中的分層制造思想,將MEMS器件CAD模型分解為逐個截面薄層來制造。在生成承載MEMS器件某一截面層圖案的石英模板的制作過程中采用掃描探針顯微鏡微刻和等離子干刻蝕技術。通過CVD/化學鍍/雙組份涂鋪獲取MEMS器件基材的薄層,采用當前IC生產線上的離心勻膠工藝,在MEMS器件基材的薄層上完成壓印阻蝕膠的可控涂鋪,采用壓印光刻和等離子刻蝕工藝完成MEMS器件的單層成形,通過化學機械剖光(CMP)獲得確定的薄層厚度。本發明的方法解決了MEMS的真三維問題;采用金屬化學汽相沉積工藝有效地解決了MEMS制造材料單一的問題;采用大模板或多模板并行壓印光刻,可實現MEMS批量制造。
聲明:
“基于壓印光刻的復合材料真三維微電子機械系統制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)