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    納米箔帶擴散連接碳化硅陶瓷基復合材料的工藝

    717   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 15:15:02
    本發明涉及一種納米箔帶擴散連接碳化硅陶瓷基復合材料的工藝,屬于焊接制造技術領域。由于陶瓷及陶瓷基復合材料的加工性能較差、耐熱沖擊能力弱,國內外在陶瓷或陶瓷基復合材料的連接中,普遍使用傳統的Ag-Cu-Ti、Cu-Ti系活性釬料進行釬焊連接,但相應的接頭耐熱溫度很難超過500℃。本發明提供一種可用于SiC陶瓷基復合材料的低溫活化連接、接頭耐高溫的連接方法,通過采用納米級厚度的Ti和Al金屬層交替疊加的箔帶作為焊料,經過熱壓燒結方法,實現碳化硅陶瓷基復合材料的連接,獲得的連接接頭不僅室溫強度高,而且室溫接頭強度的75%以上可以穩定至1100℃的高溫。
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