本發明提供一種Si@Cu空心核殼復合材料的制備方法,屬于復合材料技術領域。該方法為:在Cu鹽的水溶液中加入納米硅顆粒,攪拌均勻得到Si和Cu鹽的混合液A;向該混合液A中緩慢加入堿性水溶液;加入過量的葡萄糖溶液還原硅表面的Cu(OH)2,保溫40?60min至磚紅色,過濾干燥即得Si@Cu2O復合材料;將Si/Cu2O加水配制成懸浮液,加入烯丙基硫脲,反應得混合液B,向混合液B加入過量的還原劑攪拌,將產物用去離子水洗滌數次,即得Si@Cu空心核殼復合材料。該方法制備的復合材料用作負極材料,在充放電過程中體積膨脹小,且硅負極材料的導電性得到改善。
聲明:
“Si@Cu空心核殼復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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