本發明公開了一種碳化硅?硅?石墨復合材料及其制備方法和應用。該碳化硅?硅?石墨復合材料以石墨顆粒作為基體材料,在其表面通過CVD法原位生成的納米硅和碳化硅包覆層,納米硅分散均勻,且與石墨結合強度高,大大提高了復合材料的穩定性和電化學活性,而采用碳化硅作為包覆層,相對于無定形碳包覆層,能夠提高包覆厚度,且具有晶體結構的碳化硅包覆更加牢固,大大提高了復合材料的穩定性,該復合材料的制備方法簡單,在沉積納米硅和碳化硅包覆層過程中,只需通過一次CVD過程可以完成,克服了CVD制備硅炭復合材料過程中,往往需要多重氣相沉積步驟來完成不同成分沉積的缺陷,有利于大規模生產。
聲明:
“碳化硅-硅-石墨復合材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)