本發明屬于納米光電材料技術領域,公開了一種花青素敏化的P5FIn/ITO納米復合材料的制備方法及其應用。該制備方法包括如下步驟:(1)含有吲哚?5?甲醛的乙腈溶液的制備;(2)P5FIn/ITO電極復合材料的制備;(3)花青素敏化的P5FIn/ITO納米復合材料的制備:將所述P5FIn/ITO電極復合材料放入所述花青素溶液中浸泡,最終得到花青素敏化的P5FIn/ITO納米復合材料。本發明制備的花青素敏化的P5FIn/ITO納米復合材料具有良好光電性能;花青素敏化的P5FIn/ITO復合材料具有較高的氧化還原活性和電化學穩定性。
聲明:
“花青素敏化的P5FIn/ITO納米復合材料的制備方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)