本發明公開了一種可以實現C/SiC(碳纖維增強碳化硅復合材料)復合材料與其他金屬可靠、牢固連接的連接結構和連接方法。該方法以金屬鈮(Nb)、氫氣和氯氣為原料,使用化學氣相沉積(CVD)的方法在C/SiC復合材料上沉積Nb(以下簡稱CVDNb),制備CVDNb/(C/SiC)復合材料接頭。以CVDNb為過渡連接材料,與其他金屬(如鎳基合金、鈦合金、鈮合金)等焊接,從而實現C/SiC復合材料制備的各類異型器件與其他金屬器件的組裝。CVDNb在C/SiC復合材料表面的沉積過程中即產生元素擴散和界面反應,形成良好的結合,無需進行后續熱處理。該連接方法對C/SiC復合材料器件外形的尺寸精度要求低,該連接結構簡單,氣密性能良好,連接強度大,使用溫度高,連接可靠性高,尤其適用于航天航空用C/SiC復合材料結構件的連接問題。
聲明:
“C/SiC復合材料的一種連接方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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