本發明公開了一種碳化硅增強鋁基復合材料的制備方法,包括初步堿洗:用于去除Si、SiO2夾渣和SiC表面形成的SiO2薄膜;刻蝕:對碳化硅顆粒表面進行刻蝕;浸泡前驅體溶液:獲得表面附著前驅體相的碳化硅顆粒;熱分解:獲得表面附著Ir?Cu復合層的碳化硅顆粒;無壓滲透:制得碳化硅增強鋁基復合材料。通過本發明所述碳化硅增強鋁基復合材料的制備方法,可以實現在無壓滲透之前先在SiC表面形成一層Ir?Cu復合層,能有效改善增強相顆粒界面與鋁合金液相界面的附著程度,進而減少兩相間產生的孔隙,宏觀上表現為復合材料的熱導率提高。
聲明:
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