本發明公開了一種硫摻雜ReSe2/MXene復合材料的制備方法,以MXene為主要基底,將合成的ReSe2負載在MXene上,將硫元素摻雜到ReSe2/MXene復合物中,經熱處理反應制得硫摻雜ReSe2/MXene復合材料。所述硫摻雜ReSe2/MXene復合材料導電性佳,層間距增大,比表面積大。MXene特殊的層狀結構有效減緩在循環充放電過程中由于負極材料的團聚或體積膨脹而帶來的電學性能下降、結構塌陷等問題;ReSe2的負載有效提高了層間距,增大比表面積;進一步地,硫元素的摻雜使ReSe2/MXene復合材料暴露更多活性位點與空位,提高材料的儲鉀性能。MXene,ReSe2,硫原子之間以彌補各自的缺陷和不足,具有協同增效作用,最大程度地提高了復合材料的儲鉀性能,比容量、充放電穩定性、電子轉移速率等性能。同時,制備工藝簡單,性能可控。
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