一種高介電性能聚偏氟乙烯碳化鈦納米片復合材料的制備方法,它涉及一種聚偏氟乙烯復合材料的制備方法。本發明的目的是要解決現有聚偏氟乙烯的介電常數低的問題。方法:一、制備二維層狀TiC納米片;二、復合,得到碳化鈦納米片質量分數為5%~20%的高介電性能聚偏氟乙烯碳化鈦納米片復合材料。本發明制備的高介電性能聚偏氟乙烯碳化鈦納米片復合材料可應用于微電子加工、集成電路、高效率儲能元件領域;本發明制備的高介電性能聚偏氟乙烯碳化鈦納米片復合材料的介電常數為9.8~19.1。本發明可獲得一種高介電性能聚偏氟乙烯碳化鈦納米片復合材料。
聲明:
“高介電性能聚偏氟乙烯碳化鈦納米片復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)