本發明公開了一種直接在無機氧化物納米顆粒表面修飾聚3,4-乙撐二氧噻吩制備復合材料的反應容器及方法。利用本發明的反應容器及方法,氣相單體非常易于滲透進入納米顆粒之間的空隙,從而在不平整度非常高的納米顆粒表面生成一層聚3,4-乙撐二氧噻吩薄膜,提高了復合材料的導電率。并且該過程無需對納米顆粒進行前處理,無需氧化劑,不會在顆粒表面產生氧化劑殘留;也不用經過電化學過程,保證了納米粒子的化學活性,所制備的納米粒子與聚3,4-乙撐二氧噻吩復合材料具有較好的導電性以及反應活性。
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