一種聚吡咯/二氧化硅納米復合材料及其制備方法。屬于聚吡咯復合材料技術領域。主要解決因改變其加工性能卻使電導率下降的問題。主要技術要點是將納米二氧化硅與吡咯單體、氧化劑、摻雜劑在聚合反應器內充分混合并縮聚,然后離心分離,真空干燥后的粉末壓制成型,得到二氧化硅粒子以納米尺度均勻分散于聚吡咯中的高導電性能、高強度與很好加工性能的聚吡咯/二氧化硅納米復合材料。有望要用于二次電池的電極材料、離子傳感器、太陽能材料和信息處理材料。
聲明:
“聚吡咯/二氧化硅納米復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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