本發明涉及一種具有電磁阻抗漸變基體的吸波陶瓷基復合材料快速制備方法,首先采用CVI或PIP工藝制備多孔的碳基復合材料,然后采用RMI工藝得到C?SiC基復合材料,最后采用氮化工藝,將復合材料中的殘余Si轉化為Si3N4,由此得到基體物相組成由內而外為C→SiC→Si3N4,與自由空間的電磁阻抗匹配性能逐漸改善;由外而內為Si3N4→SiC→C,對電磁波的損耗能力逐漸增強的吸波型陶瓷基復合材料。本發明工藝可控性強,而且與CVI和PIP法相比具有制備周期短、生產成本低。復合材料在電磁性能方面,基體材料由內而外與自由空間的阻抗匹配性能逐漸改善,由外而內對電磁波的損耗能力逐漸增強,有利于提高復合材料的吸波性能。
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