本發明涉及一種復合材料及其制備方法、量子點發光二極管。復合材料包括半導體材料和摻雜于半導體材料中的p型摻雜劑,p型摻雜劑為全氟烷基硅烷。上述復合材料中,作為p型摻雜劑的全氟烷基硅烷具有很強的吸電子能力,可以將電子從半導體材料中吸走,從而留下空穴,提高半導體材料的空穴濃度,繼而提高半導體材料的導電率,從而提高空穴傳輸效率,增加半導體材料的空穴傳輸性能。此外,本發明還涉及一種復合材料的制備方法以及包括上述復合材料的量子點發光二極管。
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