本發明提供了一種低二次電子發射系數的復合材料及其制備方法,屬于微波部件微放電技術領域。本發明涉及陶瓷?聚合物復合材料以及聚合物PCBM/PI復合材料。該陶瓷?聚合物電介質復合材料包括聚合物以及鈮酸鹽,鈮酸鹽是帶有負電性的二維納米結構的化合物;聚合物材料PCBM是具有帶負電性的粉狀聚合物。本發明利用負電性材料在聚合物基體中形成的局域反向電場抑制二次碰撞電子的產生和運動,相對于聚合物基體,該復合材料的二次電子發射系數得到了有效降低。
聲明:
“低二次電子發射系數的復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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