本發明提供了一種N摻雜的多孔硅基復合材料及其制備方法和用途,所述多孔硅基復合材料中的N來源為含有一個或多個氨烴基支鏈的有機硅氧烷單體,即來源于所述有機硅氧烷單體中的氨烴基支鏈,所述N元素的摻雜顯著提高了該多孔硅基復合材料的導電性。所述多孔硅基復合材料在制備過程中任選地加入還原劑,所述還原劑的加入促進了由該有機硅氧烷單體為前驅體形成的硅氧化物的還原,使得生成的Si晶粒鑲嵌在未還原的硅氧化物基質中,而該硅氧化物能夠緩沖Si晶粒在充放電中的體積效應。所述多孔硅基復合材料在制備過程中經HF的刻蝕,在該復合材料內部形成大量的空隙,使其形成多孔硅基復合材料,同樣起到緩沖體積效應的作用。
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