本發明公開了屬于半導體復合材料制備領域的用于光電催化的ZnO/CdS/Ag2S核殼結構納米復合材料的制備方法。首先通過溶膠凝膠法制備ZnO種子層溶膠;采用浸漬?提拉法在ITO導電玻璃基底上涂覆ZnO種子層,經過熱處理后,將長有ZnO種子層的導電玻璃放置在ZnO生長溶液中經過熱水浴處理,得到ZnO納米棒;采用離子交換法將CdS、Ag2S納米粒子沉積到ZnO納米層上,得到ZnO/CdS/Ag2S核殼結構納米復合材料。本發明所獲得的ZnO/CdS/Ag2S核殼結構納米復合材料垂直生長于基底,平均直徑達到120nm,表面附著CdS、Ag2S顆粒均勻,其吸光達到373nm,光電流達到1.52mA·cm2(1.2V?vs?Ag/AgCl),光電性能顯著提高。本發明提供的方法的特點:1、設備要求低、工藝簡單易控。2、擴大光響應范圍、提高光電效率。3、有效抑制光生電子空穴復合,促進電子空穴有效分離。
聲明:
“用于光電催化的核殼結構納米復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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