本發明涉及一種負介電材料的制備方法,特別涉及一種具有穩定的弱負介電性能的超構復合材料制備方法,負介電性能對材料組成變化的敏感度低,該發明可應用于電磁屏蔽、吸波、高容量電容器領域。上述負介電材料的制備方法,包括:步驟1:利用正硅酸四乙酯制備不同粒徑的SiO2微球;步驟2:炭的前驅體溶液的配置;步驟3:復合材料前驅體的成型;步驟4:碳化前驅體復合材料。本發明所制備的復合材料,其負介電常數在?400至0范圍,由于熱解碳的特殊多孔結構,弱負介電性能對碳含量的變化不敏感,性能穩定;通過調控二氧化硅微球的尺寸、前驅體溶液的濃度和碳化溫度可方便地調控復合材料的介電性能;復合材料溫度穩定性高,使用的溫度區間大,可應用于高溫電磁領域。
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