本發明屬于復合材料制備技術領域,提供了一種Si基Ge摻雜石墨烯復合材料的制備方法,采用離子束濺射法制備Si基Ge摻雜石墨烯,所述方法包括以下步驟:將Si基石墨烯基片放入生長室,抽真空后通過Ge沉積(200~800℃)、退火(0~30min)工藝獲得Si基Ge摻雜石墨烯復合材料。本發明優勢:Si基復合材料可與現行成熟Si微電子工藝兼容;實現了Ge對石墨烯中C原子的取代摻雜,形成Ge?C鍵合;避免化學法在原子周圍產生支鏈,及支鏈勢壘影響載流子的輸運特性。本發明的復合材料具有高載流子濃度和遷移率,可用于微電子器件、太陽能電池及紅外探測等領域。
聲明:
“Si基Ge摻雜石墨烯復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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