一種電子封裝用碳化硅增強鋁基復合材料的制備方法,先對碳化硅顆粒(SiCp)表面進行粗化、敏化、活性、解膠及烘干五步預處理,再用5~12.5?g/l的硫酸銅、10~20g/l的EDTA、5~15g/l的酒石酸鉀鈉、體積分數1.2~1.5%的甲醛及體積分數0.7~0.9%的甲醇的鍍液,在pH值11~12.5、35~47℃的條件下,對SiCp表面鍍銅,再采用無壓滲透法制備SiCp體積分數為50~55%的鋁基復合材料。本發明工藝簡便可靠、環保,制得的SiCp/Al復合材料的比強度和比剛度高、耐磨性好、熱膨脹系數低,且導熱率有極大提高,能很好解決電子封裝材料存在的溫度過高導致電子元件失效的問題。
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