本發明涉及一種Hf?Ta?C增強的C/SiC陶瓷基復合材料的制備方法,所述制備方法包括如下步驟:(1)提供碳/碳基體;(2)以硅合金為反應物,采用反應熔滲法將所述碳/碳基體制成C/SiC陶瓷基復合材料;(3)以鉿鉭前驅體溶液作為反應物,采用浸漬裂解法與所述C/SiC陶瓷基復合材料反應,制得所述Hf?Ta?C增強的C/SiC陶瓷基復合材料。該制備方法充分發揮反應熔滲法高效率優勢,并借助于浸漬裂解法,進一步降低孔隙率和復合材料的抗燒蝕性能,從而有效解決了C/SiC陶瓷基復合材料孔隙較多而導致抗燒蝕性能較差的問題。
聲明:
“Hf-Ta-C增強的C/SiC陶瓷基復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)