本發明涉及一種基于梯度功能復合材料封裝的壓接型IGBT功率模塊,集電極金屬層和發射極金屬層之間IGBT子模塊包括從上到下依次壓接的集電極梯度功能復合材料層、IGBT功率芯片、發射極梯度功能復合材料層、銅底座和柵極PCB板,壓接后的IGBT子模塊外套裝封裝外殼支架,壓接后發射極梯度功能復合材料層和銅底座的缺口內放置有柵極彈簧頂針,集電極梯度功能復合材料層與集電極金屬層和IGBT功率芯片集電極表面以及發射極梯度功能復合材料層與IGBT功率芯片的發射極表面和銅底座的熱膨脹系數相匹配,解決現有壓接型IGBT功率模塊中IGBT功率芯片與封裝材料組件間熱膨脹系數不匹配導致組件界面電熱接觸性能下降、散熱效率降低、器件使用壽命縮短的問題。
聲明:
“基于梯度功能復合材料封裝的壓接型IGBT功率模塊” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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