本發明屬于三元納米復合材料技術領域,公開了一種聚(1?H苯并吲哚)/Zn?MOF/WO3三元納米復合材料制備方法及其應用。該制備方法包括1)電沉積法制備WO3基底;2)Zn?MOF的合成;3)制備覆Zn?MOF/WO3的FTO電極;4)聚(1?H苯并吲哚)/Zn?MOF/WO3三元納米復合材料的制備。最終制備得到的聚(1?H苯并吲哚)/Zn?MOF/WO3三元納米復合材料具有良好的電化學、電容性能和良好的電化學穩定性,并可以進而減小器件的內部電阻,提高器件的儲能性能,用作構建超級電容器的電極,提高其性能,為具有高功率和高能量密度的儲能設備提供可能。
聲明:
“聚(1-H苯并吲哚)/Zn-MOF/WO3三元納米復合材料的制備方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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