本發明公開了基于單層二硫化鉬納米復合材料的電存儲器,在玻璃基底的上表面鍍有ITO膜層,ITO膜層上設有活性層,活性層上設有金屬電極,活性層為二硫化鉬與另一種半導體材料組成的納米復合材料,該納米復合材料以二硫化鉬為多體,另一種半導體材料的純度大于90%。本發明還公開了上述電存儲器的制備方法。本發明通過將二硫化鉬與另一種半導體材料摻雜得到的納米復合材料作為活性層,得到Flash型存儲器件,且存儲器件的性能有所提高。
聲明:
“基于單層二硫化鉬納米復合材料的電存儲器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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