本發明公開了一種增韌SiC基高溫陶瓷復合材料及其制備方法,涉及高溫結構陶瓷復合材料技術領域。本發明以15vol%TiB2、5?25vol%ZrB2、1vol%石墨粉及余量的SiC制備原位生成(TixZr1?x)B2增韌的SiC基高溫陶瓷復合材料;方法為:將TiB2、ZrB2、SiC和石墨粉混合均勻,球磨后干燥、過篩,將得到的混合粉體進行放電等離子燒結處理,即得原位生成(TixZr1?x)B2增韌的SiC基高溫陶瓷復合材料。本發明利用原位生成的方法在基體中引入(TixZr1?x)B2,使基體與增韌相結合強度高,制得的SiC復相陶瓷具有優越的斷裂韌性。
聲明:
“增韌SiC基高溫陶瓷復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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