本發明屬于功能納米材料技術領域,提供了一種含碳缺陷的鉍摻雜聚合氮化碳納米復合材料的制備方法,制備步驟如下:步驟1、超薄PCN納米片的制備;步驟2、含碳缺陷的鉍摻雜聚合氮化碳(Bi/CV?PCN)納米復合材料的制備。本發明中,首先通過超分子聚集和離子熔融縮聚將2,4,6?三氨基嘧啶引入CN結構中以獲得超薄PCN納米片,控制了PCN的結晶度并增強可見光吸收。然后,利用溫和簡單的一鍋水熱法合成了Bi/CV?PCN納米復合材料,在Bi摻雜引起的SPR效應和CVs的協同作用下進一步提高了復合材料的光活性和光電化學穩定性并加速了電荷分離。
聲明:
“含碳缺陷的鉍摻雜聚合氮化碳納米復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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