本發明公開了一種應力水氧耦合環境單向陶瓷基復合材料剩余強度與剩余剛度預測方法;方法確定單向SiC/SiC復合材料內部水蒸氣與氧氣濃度、碳界面消耗長度及材料基體纖維氧化物厚度變化規律:結合水蒸氣與氧氣的擴散系數,建立單向SiC/SiC復合材料在水氧耦合環境下的氧化動力學方程,結合水蒸氣及氧氣的邊界條件,求解方程得到水蒸氣及氧氣在材料內部不同時刻不同位置處的濃度,基于水蒸氣及氧氣濃度求出界面消耗長度及氧化物厚度變化規律;本發明為單向SiC/SiC復合材料的安全使用提供理論支持,且計算過程簡潔有效,省去了實驗方法的時間和人力成本。
聲明:
“應力水氧耦合環境單向陶瓷基復合材料剩余強度與剩余剛度預測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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