本發明公開了一種硒化鉍納米片/四硒化三鉍納米線復合材料的制備方法及應用,屬于光電材料和探測器的制備技術領域。本發明使用操作簡便、過程可控的一步溶劑熱法制備出了Bi2Se3納米片/Bi3Se4納米線復合材料,其中兩種組分的比重可以通過調節Se源的摩爾量來調控。制備方法簡單,納米結構接觸緊密,以該復合材料為工作電極制備的自供能光電探測器響應迅速,在近紅外?可見?紫外波段均有較強的光電流響應,相比基于純相Bi2Se3納米片制備的自供能光電探測器,其探測性能有很大提升,能夠有效地抑制光生電子?空穴的復合。Bi2Se3納米片/Bi3Se4納米線復合材料的制備對未來發展Bi?Se雙元素材料的異質結構具有較高的參考價值。
聲明:
“硒化鉍納米片/四硒化三鉍納米線復合材料的制備方法及應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)