本發明公開了一種1?3型壓電單晶復合材料制備方法,屬于電子元器件制造技術領域。該方法由單晶的多線切割工藝、灌注工藝以及后續的脫模加工、印制電極等工藝過程組成。本方法發明的雙面多線切割工藝,充分發揮了線切割小應力、接近常溫切割的特點,實現對極化后的壓電單晶進行高精度切割,制備的壓電單晶復合材料無明顯退極化,能夠充分發揮單晶復合材料的高性能;避免了單晶切割容易崩瓷、斷裂等不利影響。適合1?3型壓電單晶復合材料的制備,與傳統刀片式切割制備工藝相比,具有明顯的技術優勢。
聲明:
“1-3型壓電單晶復合材料制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)