本申請涉及材料技術領域,公開了一種復合材料及其制作方法、半導體封裝結構。該復合材料包括多孔金屬材料和多孔金屬材料中孔結構內壁上的金屬氧化物殼結構,該制作方法包括對多孔金屬材料進行氧化處理以得到具有金屬?金屬氧化物核殼結構的復合材料,該半導體封裝結構包括使用該復合材料制成的接頭。將上述材料、方法、結構用于半導體互連工藝,可以有效提高多孔銅互連結構的力學性能和服役可靠性,簡化生產流程,降低生產成本,有利于促進工業大規模生產。
聲明:
“復合材料及其制作方法、半導體封裝結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)