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    微米級片層狀Si/SiO2復合材料、制備方法及其應用

    1258   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 15:43:02
    本發明公開了一種微米級片層狀Si/SiO2復合材料、制備方法及其應用,屬于微納米材料合成領域。本發明所使用的含硅物質為廉價易得的工業級硅源,將其按比例與氯化鈉和鎂粉混合,加入適量無水乙醇后研磨,真空干燥后得到前驅體。前驅體在500~700℃下煅燒后進行酸處理,洗滌、干燥后得到微米級片層狀Si/SiO2復合材料。本發明原料價格低廉,工藝設備簡單,整體能耗較低,適合工業化生產。本發明的制備方法,通過改變反應參數可以對Si/SiO2復合材料的組分比例進行調控,制備出的Si/SiO2復合材料形貌特征鮮明,呈微米級片層狀。作為電池負極材料,具有較好的電化學性能。
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