本發明公開一種高導電石墨烯/銅基層狀復合材料及制備方法,其特征在于,所述的復合材料由CVD石墨烯與板狀銅基底交替復合構成層狀結構,層內厚度方向為單晶態,且具有(111)晶面高度取向。所述方法為:(1)通過化學氣相沉積(CVD)技術在板狀銅基底上下表面生長石墨烯并誘導銅基底沿(111)擇優取向,制備得到三明治狀的石墨烯包覆銅基底;(2)將多片石墨烯包覆銅基底通過熱壓燒結致密化構成高導電石墨烯/銅基層狀復合材料。本發明所制得的層狀復合材料電導率高,傳導水平高于純銀,且易于生產,可用作各種類型的傳導材料。
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