一種微電子封裝用可伐/銀合金復合材料及其制備方法,該復合材料中銀合金釬料層中Cu的含量為30~35wt%,Ti的含量為0.1~5.0wt%,Ni的含量為0.1~1.0wt%,余量為Ag;可伐合金層為4J29或4J34。制備方法包括:采用真空加壓燒結方法制備釬料錠坯,通過熱壓擴散方式獲得復合錠坯,經冷鍛成形、中間退火、精密軋制及成品退火,獲得厚度為0.15~1.5mm的層狀復合材料,其中可伐合金層厚度為0.1~1mm,銀合金釬料層厚度為0.01~0.5mm。本發明的可伐/銀合金復合材料與陶瓷熱膨脹系數匹配性好,可實現與陶瓷件良好封裝。釬焊溫度適中,封裝工藝簡單高效,器件封接后不易發生開裂,成品率高。
聲明:
“微電子封裝用可伐/銀合金復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)