本發明提供一種Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4復合材料的制備方法，包括如下步驟：制備Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4粉末材料；將Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4粉末材料與Al3+按摩爾比1:0.5?1.5混合，并分散到去離子水中，超聲攪拌0.5?1h；緩慢加熱混合液至30?90℃，并進磁力攪拌2?10h，Al3+與Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4材料表面的Zn、Cu等元素發生微量離子交換，使Al3+負載于Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4表面；對磁力攪拌液進行固液分離，并將分離得到的粉末置于60?80℃恒溫電熱干燥箱干燥3?36h，即可得到Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4復合材料，其中負載的Al3+含量為Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4含量的0.3?0.8wt％。本發明提供的Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4復合材料的制備方法，采用Al離子對Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4半導體材料表面進行修飾，能改善Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4材料的活性位點，提升材料的光催化活性。本發明還提供一種Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4復合材料及其應用。
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“Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4復合材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
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編輯：管理員
來源：中冶有色網
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2025年07月24日 ~ 26日 
