本發明涉及一種高熱導率氮化硅-氮化鋁復合材料及其制備方法,該復合材料由以下質量百分比的原料成分經混合、球磨、干燥、燒結而成:氮化硅55~90wt.%,氮化鋁5~35wt.%,燒結助劑0~10wt.%;各成分用量之和為100%。本發明通過向Si3N4材料中添加AlN制得的Si3N4-AlN復合材料,所制得的Si3N4-AlN復合陶瓷材料除了具有一般氮化硅陶瓷的優異性能外,還具有熱導率高的特點,可以滿足半導體器件和集成電路等對熱導率要求較高的場合的應用要求。
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