SiQDs?MoS2/rGO復合材料及其制備方法和應用,本發明涉及二硫化鉬石墨烯復合材料及其制備方法和應用。本發明是要解決現有的純MoS2作為電極材料時電容量低的技術問題。本發明的SiQDs?MoS2/rGO復合材料,是以還原氧化石墨烯為網狀支撐體,以硅量子點復合二硫化鉬的納米花球為分散材料的復合體,納米花球嵌在還原氧化石墨烯的片層間。制法:一、硅量子點的合成;二、制備氧化石墨烯分散液;三、SiQDs?MoS2/rGO復合材料的制備。在0.5A/g的電流密度下,比電容達到924.7F/g,當電流密度升高到10A/g時,比電容仍然能夠保持512.7F/g??捎米饔诔夒娙萜鞯碾姌O材料。
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