本發明涉及一種Ti3SiC2 MAX相界面層改性SiC/SiC復合材料制備方法,屬于航空航天材料制備工藝領域。本發明采用化學氣相沉積方法,在SiC纖維預制體中纖維表面沉積Ti3SiC2 MAX相界面層,厚度為200~1200nm。然后,采用化學氣相沉積方法在Ti3SiC2 MAX相界面層外側沉積SiC界面層,厚度為3~5μm完全包覆Ti3SiC2 MAX相界面層。接著選取適當的樹脂前驅體進行重復浸漬?固化?裂解處理,得到含多孔碳基體的生坯。最后,在高溫熔滲爐中進行液態硅熔融反應,得到SiC/SiC復合材料。由于Ti3SiC2 MAX相具有優異的化學穩定性、導熱性能和摩擦性能,將有效提高SiC/SiC復合材料在高溫條件下的性能。
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