本發明公開了貴金屬復合材料的制備技術,具體涉及一種金屬Pt納米復合材料的制備方法,所述制備方法,包括以下步驟:首先通過氣泡法制備多孔金屬基底;隨后將該基底放入原子層沉積(atomic?layer?deposition,ALD)設備的反應腔中,通過高溫高真空處理,除去表面存在的雜質和水分等;最后通過交替通入貴金屬前驅體和臭氧,在多孔金屬表面沉積得到分散均勻的貴金屬納米顆粒。簡單通過改變沉積的次數,即可實現貴金屬納米顆粒粒徑的精密調控。本發明僅通過ALD設備即可制備出貴金屬納米復合材料,制備方法簡單,材料粒徑精確可控,具有普適性。
聲明:
“貴金屬納米復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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