本發明涉及一種電子封裝用多層累積SiC顆粒增強鎂基復合材料的真空壓力浸滲制備工藝,所述材料主要按照以下工藝實現制備。步驟一:SiC預制體的制備。首先通過控制造孔劑的含量制備SiCp含量為Avol%、Bvol%、Cvol%及Dvol%的預制體坯料。其次將四個不同體積分數的預制體坯料在模具中拼裝并進一步壓制成形為多層累積預制體坯料。然后將多層累積預制體坯料燒結成增強體體積分數不同的多孔預制體。步驟二:將燒結好的多層累積預制體坯料和鎂合金一起放入真空壓力浸滲裝置中制備成多層累積鎂基復合材料。步驟三:對制備好的多層累積鎂基復合材料進行定向凝固以消除鑄造缺陷。
聲明:
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