本發明公開了一種C/C復合材料表面SiC納米線增韌SiC陶瓷涂層的制備方法,將打磨拋光干燥后的C/C復合材料置于沉積爐中,通電升溫至預定溫度后,向裝有甲基三氯硅烷的鼓泡瓶中通入載氣氫氣,將反應氣源帶入爐堂內進行反應,先得到SiC納米線;再升溫至預設溫度后,進行SiC涂層的沉積,沉積結束后降溫,即可得到SiC涂層;本發明采用一步CVD法原位制備具有三明治結構的致密SiC納米線增韌SiC涂層,通過SiC納米線的增韌作用,降低了SiC涂層的開裂趨勢,抗氧化能力提升顯著,所制備的陶瓷涂層C/C復合材料在1400℃靜態空氣中氧化420小時失重僅為0.48%,本發明工藝過程簡單易實現,解決了現有方法制備的SiC納米線增韌SiC陶瓷涂層工藝復雜,效果不顯著的問題。
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