本發明一種采用無壓浸滲制備高體積分數SiC顆粒增強Cu基復合材料的方法,包括:步驟1,制備多孔碳化硅陶瓷框架;制備偏鎢酸銨溶膠;步驟2,將偏鎢酸銨溶膠浸入到多孔碳化硅陶瓷框架中,然后干燥并在空氣氣氛中煅燒,然后在氫氣氣氛下煅燒還原,得到含有鎢涂層的多孔碳化硅陶瓷框架;步驟3,將含有鎢涂層的多孔碳化硅陶瓷框架和銅在加熱條件下進行無壓浸滲,得到高體積分數SiC顆粒增強Cu基復合材料。本發明在多孔碳化硅陶瓷框架的孔道表面形成鎢涂層,鎢與銅的潤濕角小于10°,所以鎢涂層改善了碳化硅、氧化硅與銅的潤濕性,從而保證能夠利用無壓浸滲的方法得到高體積分數SiC顆粒增強Cu基復合材料。
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