本發明公開了一種聚碳硅烷熔融浸漬加壓交聯制備SiC基復合材料的方法,采用仿形不銹鋼浸漬容器,加入計量的聚碳硅烷,抽真空密封后加壓升溫,進行熔融浸漬加壓交聯,最后快速升溫裂解,得到SiC基復合材料。本發明大大提高了聚碳硅烷的浸漬效率和裂解效率,制備周期數和制備時間大幅度縮減,聚碳硅烷的有效利用率較現有工藝提高兩倍左右,顯著降低了SiC基復合材料的制備成本。
聲明:
“聚碳硅烷熔融浸漬加壓交聯制備SiC基復合材料的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)