本發明涉及一種陶瓷基復合材料快速制備方法,在室溫對CVI后的C/SiC、SiC/SiC半成品復合材料的聚合物進行浸漬,并固化以實現對SiC基體中微裂紋的初步封填。在CVI工藝的升溫過程中進行SiBCN先驅體的裂解,在基體沉積過程中完成SiBCN先驅體的增材裂解和陶瓷化,以抑制自愈合層收縮,并完成對SiC基體中微裂紋的最終封填,減少自愈合層和SiC基體中的孔洞和裂紋。本發明得到的陶瓷基復合材料內部空洞和裂紋被SiBCN填補,提高了材料致密性,同時提高了復合材料在高溫水氧耦合環境下的使用壽命。
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