本發明屬于納米材料技術領域,具體涉及一種復合材料及其制備方法、應用、發光二極管及其制備方法。所述復合材料包括二氧化鈰納米顆粒和包覆在所述二氧化鈰納米顆粒表面的二氧化鈦層。該復合材料以寬帶隙半導體二氧化鈦包覆帶隙相對較窄的半導體二氧化鈰,不僅提高了核殼結構納米晶的穩定性,而且有利于電子的傳輸,而二氧化鈦層可以填補二氧化鈰納米顆粒的表面氧空位,降低表面氧缺陷的形成,使得電子空穴對的輻射組合減少,從而進一步提高了電子傳輸性能。
聲明:
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