本發明提供了一種單質硅顆粒錨定在氮摻雜石墨烯軸向平面內部的納米復合材料的制備方法及其產品,首先通過配位化合物原位生長的方式構建硅的配體框架化合物,接著采用將配位化合物與氮源和碳源共混后在高溫下煅燒的方式從而得到硅納米顆粒錨定在石墨烯片軸向平面的納米復合材料。該方法制備出的復合材料呈現三維結構,硅納米顆粒分散并且嵌入在石墨烯類材料的內部,硅與氮的共摻雜致使石墨烯材料的帶隙結構有效打開,得到的材料具有半導體的性質。它實現了單質硅納米顆粒和氮原子以及石墨烯材料的有效結合,其獨特的結構有利于電子在界面間的快速遷移,因而在催化、能量儲存、光電器件和傳感器等眾多領域具有廣闊的應用前景。
聲明:
“單質硅顆粒錨定在氮摻雜石墨烯軸向平面內部的納米復合材料的制備及產品” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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