本發明屬于超高溫陶瓷基復合材料領域,涉及一種具有難熔金屬碳化物界面的C/SiC陶瓷基復合材料及其制備方法,即以難熔金屬與熱解碳界面反應生成難熔金屬碳化物,與碳纖維反應結合,結合強度高,碳化硅基體通過化學氣相滲透與聚碳硅烷循環浸漬熱解制備。本發明的有益效果在于:(1)纖維得到有效保護,提高了纖維的高溫抗衰減能力;(2)界面致密、界面強度高、抗裂紋擴展能力強,有效地防止氧氣的侵蝕。
聲明:
“具有難熔金屬碳化物界面的C/SiC陶瓷基復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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