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    在Si/C復合材料上生長石墨烯的方法、利用該方法制得的材料以及其應用

    729   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 16:11:01
    本發明涉及一種在Si/C復合材料上生長石墨烯的方法、利用該方法制得的材料以及其應用。該方法包括:(1)利用化學氣相沉積法在Si/C復合物上依次沉積鎳膜和銅膜,得到Cu/Ni/Si/C復合物;(2)將Cu/Ni/Si/C復合物置于氬氣和氫氣的環境下進行退火處理;(3)再利用化學氣相沉積法將經步驟(2)處理后的Cu/Ni/Si/C復合物置于甲烷和氫氣的氣氛下反應,再在氬氣的保護下冷卻至室溫,從而在Si/C復合材料上生長出石墨烯。該方法減少了石墨烯在電芯材料中的添加或對石墨烯薄膜的轉移、涂敷工藝,能夠避免破壞已有石墨烯的化學性質。
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